к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

РЕАЛЬНАЯ ФИЗИКА

Глоссарий по физике

А   Б   В   Г   Д   Е   Ж   З   И   К   Л   М   Н   О   П   Р   С   Т   У   Ф   Х   Ц   Ч   Ш   Э   Ю   Я  

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы - общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников - однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p - п - переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению температуры, действию света, электрич. и магн. полей и др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник - металл, полупроводник - диэлектрик и их сочетания).

Табл. 1. - Полупроводниковые приборы на основе однородного полупроводника

Внешнее воздействие

Используемое явление (свойство)

Название прибора

Число

электродов

Свет

Пропускание света выше определ. частоты

Оптич. фильтр

0

"

Генерация носителей заряда под действием света

Полупроводниковый лазер с оптич. накачкой


Электронный пучок

Генерация носителей под действием электронов

Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком


-

Электрич. поле E

Электропроводность полупроводника s ток I=s Е

Резистор (сопротивление)

-

"

Ганна эффект

Генератор Ганна

2

Свет частоты w и E

99-17.jpg

Фотосопротивление (фоторезистор)

2

E и магн. поле н

Магнето резистивный эффект (магнето-сопротивление)

Сопротивление (резистор), управляемое магн. полем

2

"

Холла эффект; VН=f(Е,Н)

Датчик Холла

4

Е, темп-pa Т

Зависимость электропроводности полупроводника от температуры; I=s(T)E

Термистор (терморезистор)

2

Е, давление p

Тензорезистивный эффект

Тензодатчик

2

Табл. 2. - Многопереходные полупроводниковые приборы

Внешнее воздействие

Название

Основные особенности

Число электродов

E1 или Е2


Биполярный транзистор

Взаимосвязанные р- и n-переходы


3

Е



Диодный тиристор



Четырёхслойная

структура p - n - p - n



2

"



Триодный тиристор



p - n - p - n-структура с 1 управляю-

щим электродом



3

"




Полевой транзистор
с p - n-переходом



Униполярный транзистор с затвором
в виде p - n-перехода





"





МДП-диод





Диоды с МДП-структурой (переменная ёмкость, светоизлучающие диоды, приёмники света)





2

"



МДП-транзистор

(МДП-триод)


МДП-структура


3


Наряду с П. п., классификация к-рых приведена в табл. 1, 2, 3, к П. п. относят также полупроводниковые интегральные схемы - монолитные функциональные узлы, все элементы к-рых изготовляются в едином технол. процессе.

Табл. 3 - Полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом, гетеропереходом или переходом металл-диэлектрик

Внешнее воздействие

Используемое явление

Название прибора

Число электродов

Свет

Вентильная фотоэдс

Полупроводниковый фотоэлемент, солнечная
батарея

2

E


Вольт-амперная характеристика p - n -перехода

Полупроводниковый диод-выпрямитель

2

"

Зависимость сопротивления p - n-перехода от приложенного напряжения

Варистор (переменное сопротивление)




2


"




Зависимость ёмкости
p - n-перехода от приложенного напряжения

Варактор (переменная ёмкость)




2



"





Излучат, рекомбинация
электронов и дырок в
области гомо- или гетеро- р - n-перехода
(спонтанная)

Светоизлучающий диод (электро-люминесцентный диод)





2


"






N -образная вольт-амперная характеристика
сильнолегированного
(с двух сторон) р- п-
перехода (вырождение)


Туннельный диод
(усиление и генерирование
электрич. колебаний с частотами 10 ТГц)






2

"




Излучат, рекомбинация
(вынужденная) в области гомо- или (чаще) гетеро- p - n-переходов

Инжекционный лазер




2



"




Резкое возрастание тока через p - n-переход из
за лавинного пробоя и
туннелирования

Стабилизатор напряжения




2



"





Генерация колебаний
СВЧ, связанная с лавинным умножением и задержкой на время
пролёта

Лавинно-пролётный диод (генератор)





2



"

Вольт-амперная характеристика контакта металл - полупроводник

Диод Шоттки, диод Мотта, точечный диод



2



Генерация электронно-
дырочных пар частицей, влетающей в обеднённый носителями
слой вблизи контакта
полупроводник - металл или вблизи p - n-перехода

Полупроводниковый детектор частиц

"






T


Зеебека эффект


Термопара, термогенератор


"

E, T


Пельтье эффект


Холодильник Пельтье


"

Свет, Е




Генерация электронов и
дырок в области p - n-
перехода под дейстием
света

Фотодиод (детектор света и др.)



"



Литература по полупроводниковым приборам

  1. Пасынков В. В., Чиркип Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987;
  2. Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, 2 изд., М., 1970;
  3. 3и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1-2, М., 1984,
к библиотеке   к оглавлению   FAQ по эфирной физике   ТОЭЭ   ТЭЦ   ТПОИ   ТИ  

Знаете ли Вы, в чем ложность понятия "физический вакуум"?

Физический вакуум - понятие релятивистской квантовой физики, под ним там понимают низшее (основное) энергетическое состояние квантованного поля, обладающее нулевыми импульсом, моментом импульса и другими квантовыми числами. Физическим вакуумом релятивистские теоретики называют полностью лишённое вещества пространство, заполненное неизмеряемым, а значит, лишь воображаемым полем. Такое состояние по мнению релятивистов не является абсолютной пустотой, но пространством, заполненным некими фантомными (виртуальными) частицами. Релятивистская квантовая теория поля утверждает, что, в согласии с принципом неопределённости Гейзенберга, в физическом вакууме постоянно рождаются и исчезают виртуальные, то есть кажущиеся (кому кажущиеся?), частицы: происходят так называемые нулевые колебания полей. Виртуальные частицы физического вакуума, а следовательно, он сам, по определению не имеют системы отсчета, так как в противном случае нарушался бы принцип относительности Эйнштейна, на котором основывается теория относительности (то есть стала бы возможной абсолютная система измерения с отсчетом от частиц физического вакуума, что в свою очередь однозначно опровергло бы принцип относительности, на котором постороена СТО). Таким образом, физический вакуум и его частицы не есть элементы физического мира, но лишь элементы теории относительности, которые существуют не в реальном мире, но лишь в релятивистских формулах, нарушая при этом принцип причинности (возникают и исчезают беспричинно), принцип объективности (виртуальные частицы можно считать в зависимсоти от желания теоретика либо существующими, либо не существующими), принцип фактической измеримости (не наблюдаемы, не имеют своей ИСО).

Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.

Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.

Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.

Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.

НОВОСТИ ФОРУМА

Форум Рыцари теории эфира


Рыцари теории эфира
 10.11.2021 - 12:37: ПЕРСОНАЛИИ - Personalias -> WHO IS WHO - КТО ЕСТЬ КТО - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:36: СОВЕСТЬ - Conscience -> РАСЧЕЛОВЕЧИВАНИЕ ЧЕЛОВЕКА. КОМУ ЭТО НАДО? - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:36: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от д.м.н. Александра Алексеевича Редько - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:35: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> Биологическая безопасность населения - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> Проблема государственного терроризма - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОЙНА, ПОЛИТИКА И НАУКА - War, Politics and Science -> ПРАВОСУДИЯ.НЕТ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 12:34: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вадима Глогера, США - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:18: НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ - New Technologies -> Волновая генетика Петра Гаряева, 5G-контроль и управление - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:18: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ЭКОЛОГИЯ ДЛЯ ВСЕХ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:16: ЭКОЛОГИЯ - Ecology -> ПРОБЛЕМЫ МЕДИЦИНЫ - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:15: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Екатерины Коваленко - Карим_Хайдаров.
10.11.2021 - 09:13: ВОСПИТАНИЕ, ПРОСВЕЩЕНИЕ, ОБРАЗОВАНИЕ - Upbringing, Inlightening, Education -> Просвещение от Вильгельма Варкентина - Карим_Хайдаров.
Bourabai Research - Технологии XXI века Bourabai Research Institution