Рекомбинационные волны - волны концентрации
носителей заряда в холодной биполярной плазме полупроводников во внеш. электрич.
поле (см. Плазма твёрдых тел). Возникают спонтанно, когда электрич. поле
превосходит нек-рое пороговое значение. Р. в. проявляются как колебания тока
в образце, к к-рому приложено пост. напряжение. Условием существования Р. в.
в полупроводнике является наличие как электронов, так и дырок, концентрации
к-рых не должны сильно отличаться. Др. условие состоит в том, чтобы времена
жизни т носителей были различными. Оба условия выполняются только при наличии
глубоких примесных центров рекомбинации, уровни энергии к-рых располагают
в ср. части запрещённой зоны полупроводника. Эти условия иллюстрируются диаграммой
(рис.).
Области существования реком-бинационных волн
заштрихованы; p, n - равновесные концентрации дырок и электронов;
- их времена
жизни.
Рекомбинационные волны проявляются в потере устойчивости протекания
электрич. тока. Его течение устойчиво лишь в слабых полях. Критич. значение
напряжённости поля определяется условием, чтобы дрейфовая длина неравновесных
носителей заряда превосходила их диффузионную длину. С этим и связан механизм
самовозбуждения Р. в., заключающийся в том, что избыточные неосновные носители,
возникшие благодаря случайной генерации с примесных центров захвата, не рекомбиннруют
там, где они родились, а уносятся полем вместе с частично нейтрализующими их
осн. носителями. Р. в. распространяются в сторону дрейфа более долгоживу-щих
носителей заряда.
Рекомбинационные волны наблюдались в кристаллах Ge n-типа с примесью Мn и Sb и в кристаллах Si n-типа с примесью Zn и P при темп-pax Т ~ 300 К в электрич. поле порядка десятков В/см. Период колебаний тока от долей секунды до неск. мкс. Частота и амплитуда Р. в. чувствительны к изменению внеш. условий (температуры, магн. поля, освещения, к облучению потоком частиц). Это обусловливает возможности практич. использования Р. в. Созданы прецизионные датчики температуры, напряжённости магн. поля, механич. деформаций, мощности эл--магн. и корпускулярного излучений, а также миниатюрные полупроводниковые генераторы и преобразователи.
О. В. Константинов, Г. В. Царенков
Когда тот или иной физик использует понятие "физический вакуум", он либо не понимает абсурдности этого термина, либо лукавит, являясь скрытым или явным приверженцем релятивистской идеологии.
Понять абсурдность этого понятия легче всего обратившись к истокам его возникновения. Рождено оно было Полем Дираком в 1930-х, когда стало ясно, что отрицание эфира в чистом виде, как это делал великий математик, но посредственный физик Анри Пуанкаре, уже нельзя. Слишком много фактов противоречит этому.
Для защиты релятивизма Поль Дирак ввел афизическое и алогичное понятие отрицательной энергии, а затем и существование "моря" двух компенсирующих друг друга энергий в вакууме - положительной и отрицательной, а также "моря" компенсирующих друг друга частиц - виртуальных (то есть кажущихся) электронов и позитронов в вакууме.
Однако такая постановка является внутренне противоречивой (виртуальные частицы ненаблюдаемы и их по произволу можно считать в одном случае отсутствующими, а в другом - присутствующими) и противоречащей релятивизму (то есть отрицанию эфира, так как при наличии таких частиц в вакууме релятивизм уже просто невозможен). Подробнее читайте в FAQ по эфирной физике.